Электронно-дырочный переход

В базе принципа деяния большинства полупроводниковых устройств лежат явления и процессы, возникающие на границе меж 2-мя областями полупроводника с разными типами электронной проводимости – электрической (n-типа) и дырочной (р-типа). В области n-типа преобладают электроны, которые являются основными носителями электронных зарядов, в р-области такими являются положительные заряды (дырки). Граница меж 2-мя областями с разными типами проводимости именуется р-п-переходом. (далее…)