Преобразование лучистой энергии в электрическую
Концентрация и энергия свободных носителей заряда в полупроводниках могут возрастать не только лишь при нагревании, да и под действием лучистой энергии (свет, инфракрасное излучение).
Проводимость полупроводников, обусловленная действием на их лучистой энергии, именуется фотопроводимостью (внутренним фотоэффектом). Явление фотопроводимости лежит в базе деяния группы электрических устройств, именуемых фотосопротивлениями.
Рис. 1 объясняет действие твердого фотоэлемента с запирающим слоем (вентильного фотоэлемента) в фотогенераторном режиме.

Рис. 1
В вентильном фотоэлементе осуществляется контакт 2-ух полупроводников, один из которых обладает электрической электропроводностью, а другой — дырочной. Благодаря диффузии электронов и дырок через n-р-переход во взаимно обратных направлениях появляется контактная разность потенциалов UK. Если полупроводника освещаются, в их за счет поглощения световой энергии образуются неосновные свободные носители заряда—электроны в р-полупроводнике и дырки в n-полупроводнике. Эти электроны и дырки под действием электрического поля в свою очередь направляются через п-р-переход: дырки — в дырочный полупроводник, а электроны — в электрический. Освещение контакта приводит к нарушению равновесия главных носителей заряда, в итоге которого потенциальный барьер в контакте миниатюризируется, и устанавливается новое состояние равновесия при наименьшем значении его, равном UKC.
Разность возможных барьеров в контакте полупроводников в неосвещенном и освещенном состояниях именуется фотоэлектродвижущей силой,
Ec = UK – UK.c.
Фото-э. д. с. тем больше, чем лучше освещается полупроводник. После соединения полупроводников появляется ток в цепи и происходит преобразование лучистой энергии в электронную.
Комментарии
Преобразование лучистой энергии в электрическую — Комментариев нет